基本信息
| 标准名称： | 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 |
| 英文名称： | Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | |
| 替代情况： | 被GB/T 14141-2009代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1993-02-06 |
| 实施日期： | 1993-10-01 |
| 首发日期： | 1993-02-06 |
| 作废日期： | 2010-06-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 峨眉半导体材料研究所 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：6， 字数：9千字 |
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法